氮化硼纳米管电阻：纳米氮化硼分散问题？

摘要： 本篇文章给大家谈谈氮化硼纳米管电阻，以及纳米氮化硼分散问题对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。本文目录一览：1、氮化硼陶瓷变黑2、...

本篇文章给大家谈谈氮化硼纳米管电阻，以及纳米氮化硼分散问题对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、氮化硼陶瓷变黑
• 2、碳纳米管的导电率是多少?
• 3、六方氮化硼材料发展前景
• 4、氮化硼纳米管的性质
• 5、一种氮化硼纳米管的浮动催化式制备方法

氮化硼陶瓷变黑

立方氮化硼是黑色的，陶瓷一般都是灰色，或者金属色。

氢氟酸与氮化硼陶瓷反应化学反应方程式为：SiO2+4HF=2H2O+SiF4，Si3N4+4HF+9H2O=3H2SiO3（沉淀）+4NH4F。

工业生产的立方氮化硼有黑色、琥珀色和表面镀金属的，颗粒尺寸通常在1毫米以下。

氮化铝陶瓷和氧化铝陶瓷相比较来说，氧化铝陶瓷会更有优势一些，因为这样能够达到更科学环保以及严谨的使用要求和标准。

碳纳米管的导电率是多少?

1、碳纳米管产品的导电率的测定：\x0d\x0aCNTs与乙炔炭黑都是粉末状态，按理可以***用乙炔炭黑电阻率的测定方法进行测定。

2、实验发现碳纳米管的电导率可以高达1000～2000 S／cm，能够通过大的电流密度106 A／cm2，极大地改善聚合物复合材料的导电性能。

3、导热：碳纳米管具有良好的导热性，轴向热导率为2000-3000W/mK，约为铜的10倍，钻石的3倍。吸附：碳纳米管具有超大的比表面积，吸附性能强； 同时具有良好的电磁波吸收等性能。

4、Carbon，都是国外的重点期刊，可以找到相关文献。

六方氮化硼材料发展前景

1、优良的电性能：高温绝缘性好，25℃为1014Ω-cm，2000℃还可以达到103Ω-cm，是陶瓷中最好的高温绝缘材料，击穿电压3KV/MV，低介电损耗108HZ时为5×10-4，介电常数为4，可透微波和红外线。

2、氮化硼的用途目前用的最多的就是陶瓷制造业。坩埚，镀铝用蒸发舟，电路板基片等等这些行业用的量非常的大。而且氮化硼还可以用来制备六方氮化硼，在原子反应堆里面当做结构的材料，火箭发动机组等等。

3、各层间具有较低的剪切强度，使得相邻的两层之间滑移，这就是六方氮化硼润滑性的原因。因六方氮化硼具有润滑性，作为轮滑剂用于一些领域，如金属成型的轮滑剂与脱模剂、耐火材料的添加剂、生产陶瓷复合材料的添加剂等。

4、克/立方厘米。据阿里巴巴网显示六方氮化硼密度为29克/立方厘米。氮化硼（BN）是一种性能优异，极具发展潜力和应用前景的新型宽带隙纳米材料。

5、然而事实并非如此。六方氮化硼的抗断裂性能约是石墨烯的10倍，由于这种材料在断裂测试中的表现是如此得出人意料，以至于无法用Griffith公式来描述。

氮化硼纳米管的性质

1、高温热解前驱体法：该方法的特点就是含硼源和氮源的反应产物为气态物质，然后在高温下与金属或金属硼化物颗粒接触反应形成 BNNTs。

2、性质：高耐热性：3000℃升华，其强度1800℃为室温的2倍，1500℃空冷至室温数十次不破裂，在惰性气体中2800℃不软化。高导热系数：热压制品为33W/M.K和纯铁一样，在530℃以上是陶瓷材料中导热最大的材料。

3、氮化硼具有抗化学侵蚀性质，不被无机酸和水侵蚀。在热浓碱中硼氮键被断开。1200℃以上开始在空气中氧化。熔点为3000℃，稍低于3000℃时开始升华。真空时约2700℃开始分解。微溶于热酸，不溶于冷水，相对密度25。

4、氮化硼材料非常坚固，但密度（3g/cm3）低于金属铝，因此是一种轻质，高强度的材料。

5、密度相当，如它们都能形成结构相似的一维纳米管，二维纳米片和三维的金刚石结构。然而与碳不同的是，迄今为止发现的所有氮化硼材料均为绝缘体，而碳在某些特定的构型中可以表现出金属特性。

6、纳米电子学 在纳米电子学领域，氮化硼具有良好的纳米尺度加工性能和稳定的物理化学性质，可用于制造各种纳米电子器件。例如，氮化硼可以作为场效应晶体管的通道材料、纳米集成电路的互连线材料等，提高器件的性能和可靠性。

一种氮化硼纳米管的浮动催化式制备方法

高温热解前驱体法：该方法的特点就是含硼源和氮源的反应产物为气态物质，然后在高温下与金属或金属硼化物颗粒接触反应形成 BNNTs。

首次提出了利用二维原子晶体替代硅基场效应晶体管 FinFET 的 fin 的沟道材料，通过模板生长结合多步刻蚀的方法，制备出了目前世界上沟道宽度最小的（0.6nm）鳍式场效应晶体管（FinFET），也是目前世界上最薄的鳍式晶体管。

作为一种低温低压合成方法，被用于在低温下合成立方氮化硼。苯热合成法作为近年兴起的一种低温纳米材料合成方法，苯热合成受到广泛关注。

一种超细氮化硼连续纳米纤维的制备方法，于杰，邱业君，尹静， （申请号：2008***120x.）。 一种具有超疏水氮化硼薄膜及其制备方法，于杰，高彪，丁友龙。

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